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IC产品 MOSFET阵列 - 北京首天伟业科技有限公司

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.6V
  • 2.8V
  • 1V

最低阈值电压, Vgs th P沟道

  • 0.8V
  • 1V
  • 2.8V

最高电压, Vds P沟道

  • 60V
  • 30V

总功率, Ptot

  • 1.25W
  • 1.8W

针脚配置

  • S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
  • c
  • D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • 1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)

针脚数

  • 5
  • 6
  • 8

阈值电压, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • -700mV
  • 4V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • 1.9V
  • 2.5V
  • 2.2V
  • 1.3V
  • 1.1V
  • 1V
  • -1V
  • 1.8V
  • 3V
  • 1.7V
  • 0.45V
  • 0.8V
  • 0.7V
  • 1.4V
  • 1.2V
  • 2.6V
  • 0.6V
  • 2V
  • 0.9V
  • -0.9V

阈值电压, Vgs th 最低

  • 0.8V
  • 2.5V
  • -1V
  • 1V
  • 0.7V
  • 1.5V
  • 0.6V

阈值电压, Vgs th 最高

  • 2V
  • 1.7V
  • 100V
  • 0.5V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 2.35V
  • 3V

芯片封装类型

  • A
  • B

外宽

  • 4.05mm
  • 6.2mm
  • 40.5mm

外部深度

  • 5.26mm
  • 28mm
  • 5.2mm

外部长度/高度

  • 1.2mm
  • 1.75mm
  • 15.43mm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V

  • 0.035ohm
  • 0.0285ohm
  • 0.03ohm
  • 0.04ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V

  • 0.03ohm
  • 0.028ohm
  • 0.041ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道

  • 0.055ohm
  • 0.04ohm
  • 0.036ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道

  • 0.054ohm
  • 0.053ohm
  • 0.12ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V

  • 0.023ohm
  • 0.019ohm
  • 0.045ohm
  • 0.0185ohm
  • 0.03ohm
  • 0.025ohm
  • 0.033ohm
  • 0.034ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道

  • 0.053ohm
  • 0.045ohm
  • 0.075ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道

  • 0.09ohm
  • 0.072ohm
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量
SANYO - VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8 SANYO - VEC2305-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 18V 2.5A VEC8
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • ???极电流, Id 最大值:2.5A
  • 电压, Vds 最大:12V
  • 开态电阻, Rds(on):115mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:1W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:VEC8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:VEC8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:18V
  • 电压, Vgs 最高:8V
  • 电流, Id 连续:1.5A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国100    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - VEC2303-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 4A VEC8 SANYO - VEC2303-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 4A VEC8
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:4A
  • 电压, Vds 最大:12V
  • 开态电阻, Rds(on):49mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:1W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:VEC8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:VEC8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:12V
  • 电压, Vgs 最高:8V
  • 电流, Id 连续:2A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国97    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8 SANYO - VEC2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 3A VEC8
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:3A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):81mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:VEC8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:VEC8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 电流, Id 连续:2A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国100    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6 SANYO - SCH2315-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 12V 0.9A SCH6
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:0.9A
  • 电压, Vds 最大:12V
  • 开态电阻, Rds(on):615mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 功耗:650mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SCH6
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SCH6
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:12V
  • 电压, Vgs 最高:8V
  • 电流, Id 连续:0.5A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国100    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6 SANYO - MCH6635-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 0.8A MCPH6
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:0.8A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):900mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:800mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-88
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-88
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 电流, Id 连续:0.4A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国95    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6 SANYO - MCH6629-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.4A MCPH6
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:0.4A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):1900mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
  • 功耗:800mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-88
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-88
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 电流, Id 连续:0.2A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国100    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6 SANYO - MCH6617-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 1A MCPH6
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:1A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):500mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:800mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-88
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-88
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 电流, Id 连续:0.5A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国90    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6 SANYO - MCH6601-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 30V 0.2A MCPH6
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:0.2A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):10400mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
  • 功耗:800mW
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SC-88
  • 针脚数:6
  • 封装类型:SC-88
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 电流, Id 连续:0.05A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国100    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96 SANYO - FW808-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 30V 8A SOT96
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:8A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):22mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:2.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-96
  • 针脚数:8
  • 封装类型:SOT-96
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:8A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国96    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96 SANYO - FW705-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 6A SOT96
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):40mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
  • 功耗:2.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-96
  • 针脚数:8
  • 封装类型:SOT-96
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国424    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96 SANYO - FW377-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 35V SOT96
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:35V
  • 开态电阻, Rds(on):33mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:2.2W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-96
  • 针脚数:8
  • 封装类型:SOT-96
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:35V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国98    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96 SANYO - FW349-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 45V SOT96
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:5A
  • 电压, Vds 最大:45V
  • 开态电阻, Rds(on):37mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:2.2W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-96
  • 针脚数:8
  • 封装类型:SOT-96
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:5A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国60    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - FW342-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 30V SOT96 SANYO - FW342-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 30V SOT96
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:30V
  • 开态电阻, Rds(on):33mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:2.2W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-96
  • 针脚数:8
  • 封装类型:SOT-96
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:30V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - FW248-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 45V 6A SOT96 SANYO - FW248-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 45V 6A SOT96
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:45V
  • 开态电阻, Rds(on):34mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:2.2W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-96
  • 针脚数:8
  • 封装类型:SOT-96
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:45V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国87    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - EMH2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 2A ECH8 SANYO - EMH2301-TL-E - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 2A ECH8
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:2A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):150mohm
  • 电压 @ Rds测量:4V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.4V
  • 功耗:1.2W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:EMH8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:EMH8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs 最高:12V
  • 电流, Id 连续:1A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国100    		 1 1 询价,无需注册 订购
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