| ON SEMICONDUCTOR - D45C12G - 射频晶体管 |
晶体管极性:PNP
电压, Vceo:80V
截止频率 ft, 典型值:40MHz
功耗, Pd:30W
集电极直流电流:4A
直流电流增益 hFE:120
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功耗:30W
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:Bipolar
最大连续电流, Ic:4A
直流电流增益 hfe, 最小值:20
表面安装器件:通孔安装
饱和电压, Vce sat 最大:0.5V
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