| INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF6611TR1 - 场效应管 MOSFET N DIRECTFET MX |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:22A
电压, Vds 最大:30V
开态电阻, Rds(on):2mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:2.25V
功耗:3.9W
封装类型:MX
针脚数:5
SMD标号:6611
功率, Pd:3.9W
封装类型:MX
时间, trr 典型值:24ns
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:30V
电压, Vds 典型值:30V
电容值, Ciss 典型值:4860pF
电流, Id 连续:32A
电流, Idm 脉冲:220A
结温, Tj 最低:-40°C
结温, Tj 最高:150°C
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:2.25V
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