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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDS4885C - 双MOSFET N+P SO-8   晶体管极性:N/P 电压, Vds 最大:40V 开态电阻, Rds(on):31mohm 阈值电压, Vgs th 典型值:4V 功耗:2W 封装类型:SOIC 针脚数:8 SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010) SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010) 封装类型:SOIC 晶体管数:2 晶体管类型:MOSFET 表面安装器件:表面安装 漏极连续电流, Id N沟道:7.5A 漏极连续电流, Id P沟道:6A 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:40V 电流, Id 连续:7.5A 脉冲电流, Idm N沟道(1):20A 脉冲电流, Idm P沟道:20A 通态电阻, Rds on N沟道 最大:0.022ohm 通态电阻, Rds on P沟道 最大:0.031ohm 停产 1 特价出售 删除
TEXAS INSTRUMENTS - OPA380AIDG4 - 芯片 跨阻放大器   电源电压:5.5V -3dB带宽增益乘积:90MHz 差分输出电压:400mV 输出阻值:40ohm 工??温度范围:-40°C to +125°C 封装类型:SOIC 针脚数:8 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOIC 变化斜率:80V/μs 器件标号:380 工作温度最低:-40°C 工作温度最高:125°C 放大器数目:1 放大器类型:跨阻 电源电压 最大:5.5V 电源电压 最小:2.7V 芯片标号:380 表面安装器件:表面安装 输入偏移电压 最大:25μV 额定电源电压, +:5.5V 上海 0 新加坡211 英国391 1 特价出售 删除