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IC产品 IGBT阵列 - 北京首天伟业科技有限公司

晶体管 IGBT模块 Vceo

  • 1700V Case 2
  • 1200V SEMITRANS 4
  • 1200V D56 150A
  • 600V 75A
  • 1200V D67 22A
  • 1200V Case 2
  • 1700V Case 3
  • 1200V Case 3

最大功耗

  • 658W
  • 92W
  • 1.25kW
  • 431W
  • 1.5kW
  • 400W
  • 310W
  • 700W
  • 50W
  • 625W
  • 1.385kW
  • 1.4kW
  • 35W
  • 139W
  • 1.45kW
  • 2.08kW
  • 600W
  • 75W
  • 40W
  • 200W
  • 255W
  • 460W
  • 680W
  • 63W
  • 350W
  • 1.04kW
  • 43W
  • 780W
  • 2.045kW
  • 1.47kW
  • 250W
  • 80W
  • 240W
  • 690W

最大连续电流, Ic

  • 220A
  • 70A
  • 58A
  • 530A
  • 470A
  • 430A
  • 30A
  • 370A
  • 240A
  • 22A
  • 100A
  • 650A
  • 60A
  • 106A
  • 450A
  • 360A
  • 400A
  • 23A
  • 790A
  • 270A
  • 260A
  • 120A
  • 55A
  • 17A
  • 700A
  • 490A
  • 375A
  • 125A
  • 40A
  • 130A
  • 275A
  • 81A
  • 8A
  • 68A
  • 12A
  • 150A
  • 10A
  • 16A
  • 380A
  • 730A
  • 25A
  • 24A
  • 690A
  • 11A
  • 310A
  • 45A
  • 105A
  • 340A
  • 20A
  • 54A
  • 174A
  • 15A
  • 200A
  • 96A
  • 145A
  • 480A
  • 114A
  • 75A
  • 300A
  • 50A
  • 250A
  • 660A

总功率, Ptot

  • 200W
  • 350W
  • 270W
  • 100W

重量

  • 0.4kg
  • 0.18kg

针脚数

  • 5
  • 27
  • 7
  • 11
  • 29
  • 17
  • 25
  • 17
  • 11
  • 22
  • 13
  • 28
  • 8
  • 7

下降时间

  • 350ns
  • 90ns
  • 0.03μs
  • 450ns
  • 3500ns
  • 88ns
  • 91ns
  • 480ns
  • 5.6ns
  • 50ns
  • 120ns
  • 0.04μs
  • 250ns
  • 100ns
  • 40ns
  • 0.13μs
  • 48ns
  • 65ns
  • 410ns
  • 300ns
  • 3600ns

温度 @ 电流测量

  • 80°C
  • 65°C
  • 25°C

外宽

  • 137.8mm
  • 108mm
  • 149.5mm
  • 116.5mm
  • 105mm
  • 92mm
  • 106.4mm
  • 55mm
  • 90mm
  • 64mm
  • 107mm
  • 94mm
  • 162mm
  • 40.5mm
  • 31mm
  • 70mm

外部深度

  • 46mm
  • 62mm
  • 34mm
  • 93mm

外部深度

  • 24mm
  • 28mm
  • 61.4mm
  • 30.5mm
  • 35mm
  • 45mm
  • 61.7mm
  • 61.6mm
  • 150mm
  • 31mm

外部长度/高度

  • 30.5mm
  • 26mm
  • 18mm
  • 20mm
  • 16mm

上升时间

  • 128ns
  • 1200ns
  • 40ns
  • 55ns
  • 340ns
  • 60ns
  • 49ns
  • 33ns
  • 105ns
  • 270ns
  • 75ns
  • 600ns
  • 90ns
  • 30ns
  • 150ns
  • 26ns
  • 12ns
  • 48ns
  • 35ns
  • 80ns
  • 36ns
  • 65ns
  • 140ns
  • 78ns
  • 160ns
  • 125ns
  • 25ns
  • 500ns
  • 390ns
  • 95ns
  • 130ns
  • 350ns
  • 0.05μs
  • 28ns
  • 13ns
  • 38ns
  • 110ns
  • 400ns
  • 20ns
  • 100ns
  • 145ns
  • 0.09μs
  • 77ns
  • 5.6ns
  • 50ns
  • 320ns
  • 568ns
  • 45ns
  • 39ns

模块配置

  • Three Phase Inverter
  • Single with Diode
  • 串联 晶闸管 + 二极管
  • 1 Pair Series Connection

结温, Tj 最高

  • 150°C
  • 175°C

晶体管极性

  • N Channel
  • PT
  • N
  • Trench
  • NPT
  • NPN
  • N沟道
  • N 通道

晶体管类型

  • IGBT Module
  • 3-Phase Bridge + NTC Thermistor
  • 1 Phase Bridge Rectifier + 3 Phase Bridge Invertor
  • IGBT Dual SPT
  • IGBT + freewheel diode
  • 3-Ph Rectifier + Brake Chopper + Invertor
  • Dual Trench IGBT
  • 3 Phase Controlled Bridge (IGBT) - NPT
  • IGBT模块
  • IGBT - Soft Punch Through
  • PowerMESH
  • IGBT
  • Smart Power Module
  • IGBT Module (3 Phase Bridge + Brake Chopper + 3 Phase Invertor)
  • 3-Phase Bridge Rectifier + Brake Chopper + 3 Phase Bridge Inverter

晶体管数

  • 4
  • 1
  • 2
  • 6

集电极电流, Ic 平均值

  • 120A
  • 24A
  • 20A
  • 650A
  • 470A
  • 490A
  • 58A
  • 340A
  • 240A
  • 430A
  • 480A
  • 690A
  • 700A
  • 100A
  • 790A
  • 660A
  • 380A
  • 11A
  • 45A
  • 530A
  • 130A
  • 275A
  • 60A
  • 260A
  • 220A
  • 16A
  • 430A
  • 70A
  • 81A
  • 40A
  • 145A
  • 650A
  • 200A
  • 30A
  • 450A
  • 270A
  • 730A
  • 300A
  • 480A
  • 23A
  • 370A
  • 15A
  • 700A
  • 125A
  • 35A
  • 22A
  • 370A
  • 54A
  • 360A
  • 470A
  • 310A
  • 300A

集电极连续电流, Ic 最大值

  • 11A
  • 33A
  • 50A
  • 140A
  • 480A
  • 290A
  • 340A
  • 100A
  • 190A
  • 490A
  • 85A
  • 270A
  • 57A
  • 14A
  • 32A
  • 27A
  • 330A
  • 17A
  • 170A
  • 25A
  • 220A
  • 105A
  • 180A
  • 15A
  • 520A
  • 240A
  • 11A
  • 40A
  • 160A
  • 460A
  • 265A
  • 210A
  • 21A
  • 90A
  • 260A
  • 70A
  • 310A
  • 8A
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)
数量
FUJI ELECTRIC - 6MBP15RA-120-50 - 晶体管 IGBT模块 IPM 含6只 15A 1200V NPT FUJI ELECTRIC - 6MBP15RA-120-50 - 晶体管 IGBT模块 IPM 含6只 15A 1200V NPT
  • 模??配置:Three Phase Inverter
  • 晶体管极性:NPT
  • 集电极直流电流:15A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.8V
  • 最大功耗:92W
  • 电压, Vceo:1200V
  • 工作温度范围:-20°C to +100°C
  • 封装类型:P617
  • 外宽:64mm
  • 外部深度:46mm
  • 外部长度/高度:18mm
  • 封装类型:P617
  • 晶体管数:6
  • 晶体管类型:IGBT模块
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 上升时间:1200ns
  • 下降时间:3600ns
  • 功率, Pd:92W
  • 功耗:92W
  • 最大连续电流, Ic:15A
  • 温度 @ 电???测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Ic @ Vce饱和:15A
  • 电流, Icm 脉冲:30A
  • 隔离电压:2500V
  • 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    FUJI ELECTRIC - 6MBP15RH-060-50 - 晶体管 IGBT模块 IPM 含6只 15A 600V PT FUJI ELECTRIC - 6MBP15RH-060-50 - 晶体管 IGBT模块 IPM 含6只 15A 600V PT
  • 模块配??:Three Phase Inverter
  • 晶体管极性:PT
  • 集电极直流电流:15A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.7V
  • 最大功耗:40W
  • 电压, Vceo:600V
  • 工作温度范围:-20°C to +100°C
  • 封装类型:P617
  • 外宽:70mm
  • 外部深度:46mm
  • 外部长度/高度:16mm
  • 封装类型:P617
  • 晶体管数:6
  • 晶体管类型:IGBT模块
  • 结温, Tj 最高:150°C
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 上升时间:500ns
  • 下降时间:3500ns
  • 功率, Pd:40W
  • 功耗:40W
  • 最大连续电流, Ic:15A
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vces:600V
  • 电流, Ic @ Vce饱和:15A
  • 电流, Icm 脉冲:30A
  • 隔离电压:2500V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国3
    1 1 询价,无需注册 订购
    INFINEON - IKCS12F60AA - 智能IGBT模块 INFINEON - IKCS12F60AA - 智能IGBT模块
  • 模块配置:Three Phase Inverter
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极直流电流:12A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
  • 最大功耗:35W
  • 电压, Vceo:600V
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:MSIP-20
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 封装类型:MSIP-20
  • 晶体管类型:IGBT Module
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 功耗:35W
  • 最大连续电流, Ic:12A
  • 电压, Vces:600V
  • 停产 1 1 询价,无需注册 订购
    INFINEON - BSM75GAR120DN2 - 晶体管 IGBT模块 斩波器 1200V INFINEON - BSM75GAR120DN2 - 晶体管 IGBT模块 斩波器 1200V
  • 模块配置:Single with Diode
  • 晶体管极性:NPN
  • 集电极直流电流:105A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3V
  • 最大功耗:625W
  • 电压, Vceo:1200V
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 封装类型:M34a
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 封装类型:M34a
  • 晶体管类型:IGBT Module
  • 功率, Pd:625W
  • 最大连续电流, Ic:75A
  • 电压, Vces:1200V
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    INFINEON - BSM50GB120DLC - 晶体管 IGBT双管模块 1200V INFINEON - BSM50GB120DLC - 晶体管 IGBT双管模块 1200V
  • 模块配置:Three Phase Inverter
  • 集电极直流电流:115A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
  • 最大功耗:460W
  • 电压, Vceo:1200V
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 封装类型:Half Bridge 1
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 封装类型:Half Bridge 1
  • 封装类型, 替代:M34a
  • 晶体管类型:IGBT Module
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 上升时间:0.05μs
  • 下降时间:0.03μs
  • 功率, Pd:460W
  • 功耗:460W
  • 最大连续电流, Ic:50A
  • 温度 @ 电流测量:80°C
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Icm 脉冲:100A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国3
    1 1 询价,无需注册 订购
    INFINEON - BSM50GB120DN2 - 晶体管 IGBT双管模块 1200V INFINEON - BSM50GB120DN2 - 晶体管 IGBT双管模块 1200V
  • 模块配置:1 Pair Series Connection
  • 集电极直流电流:78A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3V
  • 最大功耗:400W
  • 电压, Vceo:1200V
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 封装类型:Half Bridge 1
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 封装类型:Half Bridge 1
  • 封装类型, 替代:M34a
  • 晶体管类型:IGBT Module
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 上升时间:100ns
  • 下降时间:100ns
  • 功率, Pd:400W
  • 功耗:400W
  • 最大连续电流, Ic:50A
  • 温度 @ 电流测量:80°C
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Icm 脉冲:100A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国10
    1 1 询价,无需注册 订购
    INFINEON - BSM100GD120DN2 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3 INFINEON - BSM100GD120DN2 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3
  • 模块配置:Three Phase Inverter
  • 集电极直流电流:150A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3V
  • 最大功耗:680W
  • 电压, Vceo:1200V
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 封装类型:Econopack 3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 封装类型:Econopack 3
  • 晶体管数:6
  • 晶体管类型:IGBT Module
  • 表面安装器件:焊接型
  • 功率, Pd:680W
  • 功耗:680W
  • 最大连续电流, Ic:100A
  • 温度 @ 电流测量:80°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Icm 脉冲:200A
  • 饱和电压 Vce sat 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国1
    1 1 询价,无需注册 订购
    INFINEON - BSM50GD120DN2 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3 INFINEON - BSM50GD120DN2 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3
  • 模块配置:Three Phase Inverter
  • 集电极直流电流:72A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3V
  • 最大功耗:350W
  • 电压, Vceo:1200V
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 封装类型:Econopack 3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 封装类型:Econopack 3
  • 晶体管数:6
  • 晶体管类型:IGBT Module
  • 表面安装器件:焊接型
  • 功率, Pd:350W
  • 功耗:350W
  • 最大连续电流, Ic:50A
  • ???度 @ 电流测量:80°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Icm 脉冲:100A
  • 饱和电压 Vce sat 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国15
    1 1 询价,无需注册 订购
    INFINEON - BSM25GD120DN2 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3 INFINEON - BSM25GD120DN2 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3
  • 模块配置:Three Phase Inverter
  • 集电极直流电流:35A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3V
  • 最大功耗:200W
  • 电压, Vceo:1200V
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 封装类型:Econopack 2
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 封装类型:Econopack 2
  • 晶体管数:6
  • 晶体管类型:IGBT Module
  • 表面安装器件:焊接型
  • 功率, Pd:200W
  • 功耗:200W
  • 最大连续电流, Ic:25A
  • ???度 @ 电流测量:80°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Icm 脉冲:50A
  • 饱和电压 Vce sat 典型值:2.5V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国12
    1 1 询价,无需注册 订购
    INFINEON - BSM10GD120DN2 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3 INFINEON - BSM10GD120DN2 - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3
  • 模块配置:Three Phase Inverter
  • 集电极直流电流:15A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3.2V
  • 最大功耗:80W
  • 电压, Vceo:1200V
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 封装类型:Econopack 3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 封装类型:Econopack 3
  • 晶体管数:6
  • 晶体管类型:IGBT Module
  • 表面安装器件:焊接型
  • 功率, Pd:80W
  • 功耗:80W
  • 最大连续电流, Ic:15A
  • ??度 @ 电流测量:80°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Icm 脉冲:30A
  • 饱和电压 Vce sat 典型值:2.7V
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国20
    1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SKM 200 GB 128 D - 晶体管 IGBT模块 SEMIKRON - SKM 200 GB 128 D - 晶体管 IGBT模块
  • 晶体管 IGBT模块
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - CPV364M4FPBF - 绝缘金属物质功率模块 VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - CPV364M4FPBF - 绝缘金属物质功率模块
  • 绝缘金属物质功率模块
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    INFINEON - FF300R12KE3 - 晶体管 IGBT双管模块 1200V INFINEON - FF300R12KE3 - 晶体管 IGBT双管模块 1200V
  • 模块配置:1 Pair Series Connection
  • 集电极直流电流:440A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.15V
  • 最大功耗:1.45kW
  • 电压, Vceo:1200V
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 封装类型:Econopack 3
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 封装类型:Econopack 3
  • 封装类型, 替代:M62a
  • 晶体管类型:IGBT Module
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 上升时间:0.09μs
  • 下降时间:0.13μs
  • 功率, Pd:1450W
  • 功耗:1450W
  • 最大连续电流, Ic:300A
  • 温度 @ 电流测量:80°C
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Icm 脉冲:600A
  • 上海 0
    新加坡 0
    英国1
    1 1 询价,无需注册 订购
    INFINEON - BSM200GB120DN2 - 晶体管 IGBT双管模块 1200V INFINEON - BSM200GB120DN2 - 晶体管 IGBT双管模块 1200V
  • 模块配置:1 Pair Series Connection
  • 集电极直流电流:290A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:3V
  • 最大功耗:1.4kW
  • 电压, Vceo:1200V
  • 工作温度范围:-40°C to +125°C
  • 封装类型:Half Bridge 2
  • SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
  • 封装类型:Half Bridge 2
  • 封装类型, 替代:M62a
  • 晶体管类型:IGBT Module
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 上升时间:160ns
  • 下降时间:120ns
  • 功率, Pd:1400W
  • 功耗:1400W
  • 最大连续电流, Ic:200A
  • 温度 @ 电流测量:80°C
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Icm 脉冲:400A
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
    INFINEON - BSM200GB120DLC - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3 INFINEON - BSM200GB120DLC - 晶体管 IGBT模块 1200V ECONOPACK3
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.6V
  • 电压, Vceo:1200V
  • 封装类型:Econopack 3
  • 封装类型:Econopack 3
  • 封装类型, 替代:M62a
  • 晶体管类型:IGBT + freewheel diode
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 上升时间:0.05μs
  • 下降时间:0.04μs
  • 功率, Pd:1300W
  • 功耗:1.3kW
  • 最大连续电流, Ic:200A
  • 温度 @ 电流测量:80°C
  • 电压, Vces:1200V
  • 电流, Icm 脉冲:400A
  • 无库存 1 1 询价,无需注册 订购
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