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IC产品 MOSFET阵列 - 北京首天伟业科技有限公司

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.6V
  • 2.8V
  • 1V

最低阈值电压, Vgs th P沟道

  • 0.8V
  • 1V
  • 2.8V

最高电压, Vds P沟道

  • 60V
  • 30V

总功率, Ptot

  • 1.25W
  • 1.8W

针脚配置

  • S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
  • c
  • D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • 1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)

针脚数

  • 5
  • 6
  • 8

阈值电压, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • -700mV
  • 4V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • 1.9V
  • 2.5V
  • 2.2V
  • 1.3V
  • 1.1V
  • 1V
  • -1V
  • 1.8V
  • 3V
  • 1.7V
  • 0.45V
  • 0.8V
  • 0.7V
  • 1.4V
  • 1.2V
  • 2.6V
  • 0.6V
  • 2V
  • 0.9V
  • -0.9V

阈值电压, Vgs th 最低

  • 0.8V
  • 2.5V
  • -1V
  • 1V
  • 0.7V
  • 1.5V
  • 0.6V

阈值电压, Vgs th 最高

  • 2V
  • 1.7V
  • 100V
  • 0.5V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 2.35V
  • 3V

芯片封装类型

  • A
  • B

外宽

  • 4.05mm
  • 6.2mm
  • 40.5mm

外部深度

  • 5.26mm
  • 28mm
  • 5.2mm

外部长度/高度

  • 1.2mm
  • 1.75mm
  • 15.43mm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V

  • 0.035ohm
  • 0.0285ohm
  • 0.03ohm
  • 0.04ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V

  • 0.03ohm
  • 0.028ohm
  • 0.041ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道

  • 0.055ohm
  • 0.04ohm
  • 0.036ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道

  • 0.054ohm
  • 0.053ohm
  • 0.12ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V

  • 0.023ohm
  • 0.019ohm
  • 0.045ohm
  • 0.0185ohm
  • 0.03ohm
  • 0.025ohm
  • 0.033ohm
  • 0.034ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道

  • 0.053ohm
  • 0.045ohm
  • 0.075ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道

  • 0.09ohm
  • 0.072ohm
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量
DIODES ZETEX - DMN2004DMK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-26 DIODES ZETEX - DMN2004DMK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-26
  • 晶体管极性:N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):550mohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-26
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-26
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:540mA
    		• 无库存 1 5 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - 2N7002VC-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V SOT-563 DIODES ZETEX - 2N7002VC-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V SOT-563
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):13.5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-563
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-563
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:280mA
    		• 无库存 1 5 询价,无需注册 订购
    DIODES ZETEX - 2N7002VAC-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V SOT-563 DIODES ZETEX - 2N7002VAC-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 60V SOT-563
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):13.5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-563
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-563
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:280mA
    		• 无库存 1 5 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SK85MH10T - 场效应管模块 MOSFET H桥 100V SEMIKRON - SK85MH10T - 场效应管模块 MOSFET H桥 100V
  • 模块配置:H Bridge Inverter
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:80A
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):0.007ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:SEMITOP 2
  • 外宽:40.5mm
  • 外部深度:28mm
  • 外部长度/高度:15.43mm
  • 封装类型:SEMITOP 2
  • 晶体管数:4
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 安装孔中心距:38mm
  • 安装孔直径:2mm
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:80A
  • 电流, Idm 脉冲:120A
  • 芯片封装类型:A
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
    		• 上海 0
    新加坡2
    英国5    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SK115MD10 - 场效应管模块 MOSFET 100V SEMIKRON - SK115MD10 - 场效应管模块 MOSFET 100V
  • 模块配置:Three Phase Inverter
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:80A
  • 电压, Vds 最大:75V
  • 开态电阻, Rds(on):0.0075ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:SEMITOP 3
  • 外宽:40.5mm
  • 外部深度:28mm
  • 外部长度/高度:15.43mm
  • 封装类型:SEMITOP 3
  • 晶体管数:6
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 安装孔中心距:38mm
  • 安装孔直径:2mm
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:75V
  • 电流, Id 连续:80A
  • 电流, Idm 脉冲:120A
  • 芯片封装类型:B
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国15    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SK70MD075 - 场效应管模块 MOSFET 75V SEMIKRON - SK70MD075 - 场效应管模块 MOSFET 75V
  • 模块配置:Three Phase Inverter
  • 晶体管极性:N沟道
  • 漏极电流, Id 最大值:100A
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):0.005ohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
  • 工作温度范围:-40°C to +150°C
  • 封装类型:SEMITOP 2
  • 外宽:40.5mm
  • 外部深度:28mm
  • 外部长度/高度:15.43mm
  • 封装类型:SEMITOP 2
  • 晶体管数:4
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:螺丝安装
  • 安装孔中心距:38mm
  • 安装孔直径:2mm
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:75V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:100A
  • 电流, Idm 脉冲:140A
  • 芯片封装类型:A
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国15    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SEMIKRON - SK85MH10 - 场效应管模块 MOSFET H桥 100V SEMIKRON - SK85MH10 - 场效应管模块 MOSFET H桥 100V
  • 晶体管极性:N沟道
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):0.007ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:3.3V
  • 封装类型:SEMITOP 2
  • 外宽:40.5mm
  • 外部深度:28mm
  • 外部长度/高度:15.43mm
  • 封装类型:SEMITOP 2
  • 晶体管数:4
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 安装孔中心距:38mm
  • 安装孔直径:2mm
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:80A
  • 电流, Idm 脉冲:120A
  • 芯片封装类型:A
  • 阈值电压, Vgs th 最低:2.5V
    		• 停产 1 1 询价,无需注册 订购
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