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IC产品 MOSFET阵列 - 北京首天伟业科技有限公司

最低阈值电压, Vgs th N沟道 1

  • 0.6V
  • 2.8V
  • 1V

最低阈值电压, Vgs th P沟道

  • 0.8V
  • 1V
  • 2.8V

最高电压, Vds P沟道

  • 60V
  • 30V

总功率, Ptot

  • 1.25W
  • 1.8W

针脚配置

  • S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1)
  • c
  • D1(1), S1(2+3), G1(4), D2(8), S2(6+7), G2(5)
  • 1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1)
  • D-com(1+8), S1(2+3),G1(4), S2(6+7),G2(5)

针脚数

  • 5
  • 6
  • 8

阈值电压, Vgs th 典型值

  • 3.3V
  • -700mV
  • 4V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • -1.6V
  • 1.6V
  • 1.9V
  • 2.5V
  • 2.2V
  • 1.3V
  • 1.1V
  • 1V
  • -1V
  • 1.8V
  • 3V
  • 1.7V
  • 0.45V
  • 0.8V
  • 0.7V
  • 1.4V
  • 1.2V
  • 2.6V
  • 0.6V
  • 2V
  • 0.9V
  • -0.9V

阈值电压, Vgs th 最低

  • 0.8V
  • 2.5V
  • -1V
  • 1V
  • 0.7V
  • 1.5V
  • 0.6V

阈值电压, Vgs th 最高

  • 2V
  • 1.7V
  • 100V
  • 0.5V
  • -1.5V
  • 1.5V
  • 2.35V
  • 3V

芯片封装类型

  • A
  • B

外宽

  • 4.05mm
  • 6.2mm
  • 40.5mm

外部深度

  • 5.26mm
  • 28mm
  • 5.2mm

外部长度/高度

  • 1.2mm
  • 1.75mm
  • 15.43mm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 1.8V

  • 0.035ohm
  • 0.0285ohm
  • 0.03ohm
  • 0.04ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V

  • 0.03ohm
  • 0.028ohm
  • 0.041ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V N沟道

  • 0.055ohm
  • 0.04ohm
  • 0.036ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V P沟道

  • 0.054ohm
  • 0.053ohm
  • 0.12ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V

  • 0.023ohm
  • 0.019ohm
  • 0.045ohm
  • 0.0185ohm
  • 0.03ohm
  • 0.025ohm
  • 0.033ohm
  • 0.034ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V N沟道

  • 0.053ohm
  • 0.045ohm
  • 0.075ohm

通态电阻, Rds on @ Vgs = 4.5V P沟道

  • 0.09ohm
  • 0.072ohm
图片 型号 产品描述 库存状况 包装规格 单位价格
(不含税)		 数量
SANYO - ECH8654-TL-H - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 5A ECH8 SANYO - ECH8654-TL-H - 场效应管 双MOSFET PP沟道 20V 5A ECH8
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:5A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):38mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ECH8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电压, Vgs 最高:10V
  • 电流, Id 连续:3A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国7    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - ECH8620-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 100V ECH8 SANYO - ECH8620-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 100V ECH8
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:2A
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):260mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ECH8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:1A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国93    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - ECH8619-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 60V ECH8 SANYO - ECH8619-TL-E - 场效应管 双MOSFET NP沟道 60V ECH8
  • 晶体管极性:NP
  • 漏极电流, Id 最大值:3A
  • 电压, Vds 最大:60V
  • 开态电阻, Rds(on):93mohm
  • 电压 @ Rds???量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ECH8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:1.5A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国585    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8 SANYO - ECH8618-TL-E - 场效应管 双MOSFET NN沟道 100V 2A ECH8
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 漏极电流, Id 最大值:2A
  • 电压, Vds 最大:100V
  • 开态电阻, Rds(on):260mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.6V
  • 功耗:1.5W
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:ECH8
  • 针脚数:8
  • 封装类型:ECH8
  • 晶体管类型:Switching
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电压, Vgs 最高:20V
  • 电流, Id 连续:1A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国90    		 1 1 询价,无需注册 订购
    DIODES INC. - DMN601DWK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-363 DIODES INC. - DMN601DWK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-363
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):2ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.6V
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-363
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:305mA
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国2910    		 1 5 询价,无需注册 订购
    DIODES INC. - DMN5L06DWK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-363 DIODES INC. - DMN5L06DWK-7 - 场效应管 MOSFET 双N沟道 SOT-363
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):2ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1V
  • 工作温度范围:-65°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-363
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
  • 电压, Vds 典型值:50V
  • 电流, Id 连续:305mA
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国4168    		 1 5 询价,无需注册 订购
    DIODES INC. - BSS84DW-7-F - 场效应管 MOSFET P沟道 SOT-363 DIODES INC. - BSS84DW-7-F - 场效应管 MOSFET P沟道 SOT-363
  • 晶体管极性:Dual P Channel
  • 开态电阻, Rds(on):10ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:-1.6V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-363
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:-5V
  • 电压, Vds 典型值:-50V
  • 电流, Id 连续:-130mA
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国1575    		 1 5 询价,无需注册 订购
    DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - 场效应管 MOSFET阵列 N/P SOT-363 DIODES INC. - BSS8402DW-7-F - 场效应管 MOSFET阵列 N/P SOT-363
  • 晶体管极性:N/P Channel
  • 开态电阻, Rds(on):13.5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2.5V
  • 工作温度???围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-363
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:115mA
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国5029    		 1 5 询价,无需注册 订购
    DIODES INC. - BSS138DW-7-F - 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-363 DIODES INC. - BSS138DW-7-F - 场效应管 MOSFET N沟道 SOT-363
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):3.5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.2V
  • 工作温度范围:-55??C to +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-363
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:50V
  • 电流, Id 连续:200mA
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国6430    		 1 5 询价,无需注册 订购
    DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - 场效应管 MOSFET N沟道 60V SOT-363 DIODES INC. - 2N7002DW-7-F - 场效应管 MOSFET N沟道 60V SOT-363
  • 晶体管极性:Dual N Channel
  • 开态电阻, Rds(on):13.5ohm
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
  • 工作温度范围:-55°C to +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
  • 封装类型:SOT-363
  • 晶体管类型:Enhancement
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电流, Id 连续:115mA
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国2409    		 1 5 询价,无需注册 订购
    SANYO - EFC4606-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 24V 6A EFCP SANYO - EFC4606-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 24V 6A EFCP
  • 模块配置:Dual Series N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:24V
  • 开态电阻, Rds(on):38mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.6W
  • 封装类型:EFCP
  • 封装类型:EFCP
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:24V
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国90    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - EFC4602-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A EFCP SANYO - EFC4602-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A EFCP
  • 模块配置:Dual Series N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):36.5mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.6W
  • 封装类型:EFCP
  • 封装类型:EFCP
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国100    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - EFC4601-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 24V 6A EFCP SANYO - EFC4601-TR - 场效应管 MOSFET N沟道 24V 6A EFCP
  • 模块配置:Dual Series N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:24V
  • 开态电阻, Rds(on):44mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.6W
  • 封装类型:EFCP
  • 封装类型:EFCP
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:24V
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国100    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - EMH2412-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 24V 6A EMH8 SANYO - EMH2412-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 24V 6A EMH8
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:24V
  • 开态电阻, Rds(on):25mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.4W
  • 封装类型:EMH8
  • 封装类型:EMH8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:24V
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国100    		 1 1 询价,无需注册 订购
    SANYO - EMH2407-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A EMH8 SANYO - EMH2407-TL-H - 场效应管 MOSFET N沟道 20V 6A EMH8
  • 模块配置:Dual N Channel
  • 晶体管极性:N
  • 漏极电流, Id 最大值:6A
  • 电压, Vds 最大:20V
  • 开态电阻, Rds(on):25mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:1.3V
  • 功耗:1.4W
  • 封装类型:EMH8
  • 封装类型:EMH8
  • 晶体管类型:MOSFET
  • 表面安装器件:表面安装
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:20V
  • 电流, Id 连续:6A
    		• 上海 0
    新加坡 0
    英国75    		 1 1 询价,无需注册 订购
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