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型号 |
产品描述 |
库存状况 |
包装规格 |
单位价格
(不含税) |
数量 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA118P - 芯片 仪器放大器 800KHz PDIP8 |
放大器数目:1
输入偏移电压:125μV
最大增益:10000
带宽:800kHz
放大器输??:单端
共模抑制比 (CMRR):125dB
摆率:0.09V/μs
电源电压范围:± 1.35V to ± 18V
电源电流:350μA
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +125°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:800kHz
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:1.35V
表面安装器件:通孔安装
输出类型:Single Ended
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上海3
美国 0
新加坡49
英国404 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA126UA - 芯片 仪器放大器 200KHz SMD |
放大器数目:1
输入偏移电压:250μV
最大增益:10000
带宽:200kHz
放大器输??:单端
共模抑制比 (CMRR):90dB
摆率:0.04V/μs
电源电压范围:± 1.35V to ± 18V
电源电流:175μA
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-55°C to +125°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:200kHz
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:1.35V
表面安装器件:表面安装
输出类型:Single Ended
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上海60
美国 0
新加坡910
英国4570 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA131AP - 芯片 仪器放大器 70KHz |
放大器数目:1
输入偏移电压:125μV
最大增益:100
带宽:70kHz
???大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):110dB
摆率:0.07V/μs
电源电压范围:± 2.25V to ± 18V
电源电流:2.2mA
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +125°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:70kHz
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:2.25V
表面安装器件:通孔安装
输出类型:Single Ended
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上海 0
美国 0
新加坡 0
英国73 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA101HP - 芯片 仪器放大器 300KHz |
放大器数目:1
输入偏移电压:250μV
最大增益:1000
带宽:300kHz
放大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):105dB
摆率:0.04V/μs
电源电压范围:± 5V to ± 20V
电源电流:6.7mA
封装类型:DIP
针脚数:14
工作温度范围:-25°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:DIP
-3dB带宽增益乘积:300kHz
电源电压 最大:40V
电源电压 最小:5V
表面安装器件:通孔安装
输出类型:Single Ended
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上海 0
美国 0
新加坡8
英国175 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA122UA - 芯片 仪器放大器 120KHz SMD |
放大器数目:1
输入偏移电压:500μV
最大增益:10000
带宽:120kHz
放大器输??:单端
共模抑制比 (CMRR):90dB
摆率:0.008V/μs
电源电流:60μA
封装类型:SOIC
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +125°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:120kHz
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:2.2V
表面安装器件:表面安装
输出类型:Single Ended
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上海 0
美国 0
新加坡5
英国 0 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA332AIDGKT. - 芯片 仪器放大器 CMOS SMD MSOP8 |
放大器数目:1
输入偏移电压:8mV
最大增益:1000
带宽:500kHz
放大器输出:Rail to Rail
共模抑制比 (CMRR):73dB
摆率:5V/μs
电源电压范围:2.5V to 5.5V
电源电流:415μA
封装类型:MSOP
针脚数:8
工作温度范围:-55°C to +125°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:MSOP
-3dB带宽增益乘积:2MHz
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:表面安装
输出类型:Rail-to-Rail
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美国 0
上海30
美国500
新加坡391
英国 0 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA331IDGKT - 芯片 仪器放大器 CMOS |
输入偏移电压:500μV
最大增益:1
带宽:1kHz
放大器输出:Rail to Rail
共模抑制比 (CMRR):94dB
摆率:5V/μs
电源电压范围:2.5V to 5.5V
电源电流:415μA
封装类型:MSOP
针脚数:8
工作温度范围:-55°C to +125°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:VSSOP
-3dB带宽增益乘积:2MHz
变化斜率:5V/μs
可编程增益 最高:1
器件标号:331
增益带宽:1kHz
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:125°C
放大器类型:Instrumentation
最小可编程增益:1
电源电压 最大:5.5V
电源电压 最小:2.7V
表面安装器件:???面安装
输入偏移电压 最大:60μV
输出类型:Single Ended
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上海453
新加坡200
英国 0 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA217AIDWT - 芯片 仪器放大器 CMOS |
放大器数目:3
输入偏移电压:250μV
最大增益:10000
放大器输出:单端
共???抑制比 (CMRR):116dB
摆率:15V/μs
电源电压范围:± 4.5V to ± 18V
电源电流:10mA
封装类型:SOIC
针脚数:16
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:3.4MHz
可编程增益 最高:10000
器件标号:217
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:CMOS
最小可编程增益:1
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:8V
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:250μV
输入偏移量, 最大:1μV/°C
输出类型:Single Ended
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无库存 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA2141UA. - 芯片 双仪器放大器 |
放大器数目:2
输入??移电压:250μV
最大增益:100
放大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):120dB
摆率:4V/μs
电源电压范围:± 2.25V to ± 18V
电源电流:1.5mA
封装类型:SOIC
针脚数:16
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
可编程增益 最高:100
器件标号:2121
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
最小可编程增益:10
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:-2.25V
输入偏移电压 最大:50μV
输入偏移量, 最大:0.5μV/°C
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无库存 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA2141U - 芯片 仪器放大器 双路 SMD |
放大器数目:2
输入偏移电压:100μV
最大增益:100
带宽:200kHz
放大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):125dB
摆率:4V/μs
电源电压范围:± 2.25V to ± 18V
电源电流:1.5mA
封装类型:SOIC
针脚数:16
工作温度范围:-40°C to +125°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:1MHz
变化斜率:4V/μs
增益 @ 带宽范围:100dB
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:125°C
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:2.25V
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:50μV
输入偏移量, 最大:0.5μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:18V
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上海 0
新加坡3
英国16 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA2128UA - 芯片 仪器放大器 双路 SMD |
放大器数目:2
输入偏移电压:125μV
最小增益:1dB
最大增益:10000
带??:1.3MHz
放大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):130dB
摆率:4V/μs
电源电压范围:± 2.25V to ± 18V
电源电流:1.4mA
封装类型:SOIC
针脚数:16
工作温度范围:-40°C to +125°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:1.3MHz
变化斜率:4V/μs
可编程增益 最高:10000
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:125°C
电源电压 最大:36V
电源电压 最小:2.25V
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:500μV
输入偏移量, 最大:0.5μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:18V
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上海5
新加坡74
英国 0 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA2126UA - 芯片 仪器放大器 双路 SMD |
放大器数目:2
输入偏移电压:500μV
最大增益:10000
带宽:9kHz
放大器???出:单端
共模抑制比 (CMRR):90dB
摆率:0.04V/μs
电源电压范围:± 1.35V to ± 18V
电源电流:175μA
封装类型:SOIC
针脚数:16
工作温度范围:-55°C to +125°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:200kHz
变化斜率:0.4V/μs
可编程增益 最高:10000
工作温度最低:-55°C
工作温度最高:125°C
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:1.35V
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:250μV
输入偏移量, 最大:3μV/°C
输出类型:Single Ended
额定电源电压, +:36V
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上海 0
新加坡522
英国133 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA2126U - 芯片 双仪器放大器 |
放大器数目:4
输入偏移电压:250μV
最大增益:10000
放大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):94dB
摆率:0.4V/μs
电源电压范围:± 1.35V to ± 18V
电源电流:175μA
封装类型:SOIC
针脚数:16
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:SOIC
-3dB带宽增益乘积:200kHz
变化斜率:4V/μs
可编程增益 最高:10000
器件标号:2126
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
最小可编程增益:5
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:1.35V
表面安装器件:表面安装
输入偏移电压 最大:250μV
输入偏移量, 最大:3μV/°C
输出类型:Single Ended
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上海 0
新加坡154
英国5 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA131BP - 芯片 精密仪器放大器 |
放大器数目:3
输入偏移电压:50μV
最大增益:100
放大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):120dB
摆率:0.7V/μs
电源电压范围:± 2.25V to ± 18V
电源电流:2.2mA
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:PDIP
-3dB带宽增益乘积:70kHz
变化斜率:4V/μs
可编程增益 最高:100
器件标号:131
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
最小可编程增益:100
电源电压 最大:18V
电源电压 最小:2.25V
表面安装器件:通孔安装
输入偏移电压 最大:50μV
输入偏移量, 最大:0.25μV/°C
输出类型:Single Ended
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上海 0
新加坡4
英国61 |
1 |
1 |
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TEXAS INSTRUMENTS - INA126P. - 芯片 仪器放大器 低功率 |
放大器数目:2
输入偏??电压:250μV
最大增益:10000
放大器输出:单端
共模抑制比 (CMRR):94dB
摆率:0.04V/μs
电源电压范围:± 1.35V to ± 18V
电源电流:175μA
封装类型:DIP
针脚数:8
工作温度范围:-40°C to +85°C
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
封装类型:PDIP
变化斜率:0.4V/μs
可编程增益 最高:10000
器件标号:126
工作温度最低:-40°C
工作温度最高:85°C
放大器类型:Instrumentation
最小可编程增益:5
电源电压 最大:18V
电源电压 ???小:-1.35V
输入偏移电压 最大:250μV
输入偏移量, 最大:3μV/°C
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