 | NXP - BLT81.115 - 射频晶体管 NPN 每卷1K |
晶体管极性:NPN
电压, Vceo:9.5V
截止频率 ft, 典型值:900MHz
功耗, Pd:2W
集电极直流电流:500mA
直流电流增益 hFE:25
外宽:6.7mm
外部深度:7.5mm
外部长度/高度:1.7mm
封装类型:SOT-223
晶体管数:1
晶体管类型:RF Bipolar
每卷数量:1000
表面安装器件:表面安装
集电极连续电流:500mA
SMD标号:BLT81
封装类型:SOT-223
带子宽度:12mm
总功率, Ptot:2W
效率:60%
最大连续电流, Ic:0.5A
最小功率增益 Gp:6dB
电压, Vcbo:20V
电流, Ic hFE:300mA
电流, Ic 最大:0.5A
电源电压:7.5V
直流电流增益 hfe, 最小值:25
负载功率:1.2W
集电极电流, Ic 平均值:500mA
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