| STMICROELECTRONICS - STP12NM50 - 场效应管 MOSFET N TO-220 |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:12A
电压, Vds 最大:550V
开态电阻, Rds(on):0.35ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:160W
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:160W
单脉冲雪崩能量 Eas:400mJ
封装类型:TO-220
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds:550V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:1000pF
电流, Id 连续:12A
电流, Idm 脉冲:48A
表面安装器件:通孔安装
重复雪崩电流, Iar:6A
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最低:3V
阈值电压, Vgs th 最高:5V
| 上海 0 新加坡 0 英国160 | 1 | 特价出售 | | 删除 |