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NXP - BLF245 - 场效应管 MOSFET VHF SOT123   晶体管类型:MOSFET 电压, Vds 最大:65V 电流, Id 连续:6A 功耗:68W 封装类型:SOT-123 截止频率 ft, 典型值:175MHz 晶体管数:1 晶体管极性:N 针脚格式:D(1), S(2&4), G(3) 功率, Pd:68W 器件标号:1 封装类型:SOT-123 应用代码:RFPOWMOS 开态电阻, Rds(on):0.4ohm 最小功率增益 Gp:33dB 漏极电流, Id 最大值:6A 电压 @ Rds测量:10V 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:65V 电压, Vgs 最高:20V 电流, Idss 最大:2mA 通态电阻, Rds on 最大:0.75ohm 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V 阈值电压, Vgs th 最低:2V 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V 无库存 1 特价出售 删除
NATIONAL SEMICONDUCTOR - DS25CP104ATSQ - 芯片 交叉点开关阵列 3.125Gbps LVDS 40LLP   类型:LVDS 输入/输出配置:CML / LVDS / LVPECL, LVDS 控制接口:SMBus 电源电压范围:3V to 3.6V 工作温度范围:-40°C to +85°C 封装形式:LLP 针脚数:40 SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:LLP 器件标号:25 电源电压 最大:3.6V 电源电压 最小:3V 表面安装器件:表面安装 封装类型:LLP 模拟开关类型:开关阵列 电源电压:单 无库存 1 特价出售 删除