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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH20N60 - 场效应管 MOSFET N TO-247   晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:20A 电压, Vds 最大:600V 开态电阻, Rds(on):0.35ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:300W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-247 针脚数:3 N沟道栅极电荷 Qg:151nC 功率, Pd:300W 封装类型:TO-247 时间, trr 典型值:250ns 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 最大重复雪崩能量 Ear:30mJ 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:600V 电压变化率 dv/dt:5V/ns 电流, Id 连续:20A 电流, Idm 脉冲:60A 结??, Tj 最低:-55°C 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器件:通孔安装 通态电阻, Rds on 最大:0.35ohm 重量:6g 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V 阈值电压, Vgs th 最高:4.5V 上海 0 新加坡 0 英国17 1 特价出售 删除
TEXAS INSTRUMENTS - BQ78PL114RGZT - 芯片 锂电池管理控制器 48QFN   电池类型:锂离子 控制接口:I2C 针脚数:48 工作温度范围:-40°C to +85°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:QFN 串联电池数:12 器件标号:78 电池管理功能:充电器, 保护器, 状态监控器 电源电压 最大:4.5V 电源电压 最小:2.3V 表面安装器件:表面安装 输入电压 最大:4.5V 输出电压 最大:500mV 上海10 新加坡211 英国268 1 特价出售 删除