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IXYS SEMICONDUCTOR - IXFH12N100Q - 场效应管 MOSFET N TO-247   晶体管极性:N沟道 漏极电流, Id 最大值:12A 电压, Vds 最大:1000V 开态电阻, Rds(on):1.05ohm 电压 @ Rds测量:10V 电压, Vgs 最高:20V 功耗:300W 工作温度范围:-55°C to +150°C 封装类型:TO-247 针脚数:3 N沟道栅极电荷 Qg:90nC 功率, Pd:300W 封装类型:TO-247 晶体管数:1 晶体管类型:MOSFET 最大重复雪崩能量 Ear:30mJ 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V 电压, Vds 典型值:1000V 电压变化率 dv/dt:5V/ns 电流, Id 连续:12A 电流, Idm 脉冲:48A 结温, Tj 最低:-55°C 结温, Tj 最高:150°C 表面安装器件:通孔安装 通态电阻, Rds on 最大:1.05ohm 重量:6g 阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V 阈值电压, Vgs th 最高:5.5V 上海10 新加坡 0 英国137 1 特价出售 删除
NATIONAL SEMICONDUCTOR - DS90LV018ATMX/NOPB - 芯片 线驱动器/接收器   传播延迟时间:1.6ns 封装类型:SOIC 针脚数:8 工作温度范围:-40°C to +85°C SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010) 封装类型:SOIC 器件标号:90 接收器数:1 数据率:400Mbps 电源电压 最大:3.6V 电源电压 最小:3V 表面安装器件:表面安装 电源电流:5.4mA 上海 0 新加坡10 英国52 1 特价出售 删除