 | IXYS RF - IXFH21N50F - 场效应管 MOSFET N RF TO-247AD |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:500V
电流, Id 连续:21A
最大功耗:300W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:TO-247AD
晶体管极性:N
表面安装器件:通孔安装
上升时间:12ns
功率, Pd:300W
封装类型:TO-247AD
开态电阻, Rds(on):0.25ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:500V
电容值, Ciss 典型值:2600pF
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
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