 | TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM1N60LCP - 场效应管 MOSFET N 600V D-PAK |
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:1A
电压, Vds 最大:600V
开态电阻, Rds(on):8ohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs 最高:30V
功耗:2.5W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:D-PAK
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2010)
功率, Pd:50W
单脉冲雪崩能量 Eas:20mJ
外宽:6.8mm
外部深度:10.5mm
外部长度/高度:2.55mm
封装类型:DPAK
封装类型, 替代:TO-252
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:600V
电流, Id 连续:1A
电流, Idm 脉冲:9A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
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