 | NXP - BLF175 - 场效应管 MOSFET VHF SOT123 |
晶体管类型:MOSFET
电压, Vds 最大:125V
电流, Id 连续:4A
最大功耗:68W
封装类型:SOT-123
截止频率 ft, 典型值:32MHz
晶体管数:1
晶体管极性:N
热阻, 结至外壳 A:2.6°C/W
针脚格式:D(1), S(2&4), G(3)
功率, Pd:68W
器件标号:1
封装类型:SOT-123
应用代码:RFPOWMOS
开态电阻, Rds(on):0.75ohm
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:125V
电流, Idss 最大:0.1mA
通态电阻, Rds on 最大:1.5ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
阈值电压, Vgs th 最低:2V
阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
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