 | RENESAS - 2SJ218-E - 场效应管 MOSFET P TO-3PFM |
晶体管极性:P
漏极电流, Id 最大值:-45A
电压, Vds 最大:60V
开态电阻, Rds(on):0.06ohm
电压 @ Rds测量:-10V
电压, Vgs 最高:-20V
功耗:60W
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:TO-3PFM
功率, Pd:60W
封装类型:TO-3PFM
引脚节距:5.45mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
电压, Vds 典型值:-60V
电流, Id 连续:45A
电流, Idm 脉冲:180A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-2V
隔离电压:4kV
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