SEMELAB - BUZ900 - 场效应管 MOSFET N TO-3
制造商：SEMELAB
库存编号：
制造商编号：BUZ900
库存状态：上海 0 , 新加坡3, 英国818
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
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制造商编号：BUZ900
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最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:8A
- 电压, Vds 最大:160V
- 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
- 电压, Vgs 最高:1.5V
- 功耗:125W
- 封装类型:TO-3
- 针脚数:2
- 功率, Pd:125W
- 器件标记:BUZ900
- 封装类型:TO-3
- 封装类型, 替代:TO-204AA
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vds 典型值:160V
- 电流, Id 连续:8A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
产品属性：
重量（公斤）：0.0115
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:8A
- 电压, Vds 最大:160V
- 开态电阻, Rds(on):1.5ohm
- 电压, Vgs 最高:1.5V
- 功耗:125W
- 封装类型:TO-3
- 针脚数:2
- 功率, Pd:125W
- 器件标记:BUZ900
- 封装类型:TO-3
- 封装类型, 替代:TO-204AA
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压, Vds 典型值:160V
- 电流, Id 连续:8A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
