FUJI ELECTRIC - 2SK3586-01 - 场效应管 MOSFET N TO-220AB
制造商：FUJI ELECTRIC
库存编号：
制造商编号：2SK3586-01
库存状态：上海 0 , 新加坡 0 , 英国12
包装规格：1
最小订单量：1
多重订单量：1
单位价格：特价出售
价格：
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描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:50A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.025ohm
- ??压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:270W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- 功率, Pd:270W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:319.2mJ
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:5.45mm
- 总功率, Ptot:270W
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:73A
- 电流, Idm 脉冲:292A
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:5V
产品属性：
重量（公斤）：0.002
原产地：
最近制造加工所发生的国家：
描述信息：
- 晶体管极性:N沟道
- 漏极电流, Id 最大值:50A
- 电压, Vds 最大:100V
- 开态电阻, Rds(on):0.025ohm
- ??压 @ Rds测量:10V
- 电压, Vgs 最高:30V
- 功耗:270W
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- 功率, Pd:270W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:319.2mJ
- 封装类型:TO-220AB
- 引脚节距:5.45mm
- 总功率, Ptot:270W
- 晶体管类型:MOSFET
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电流, Id 连续:73A
- 电流, Idm 脉冲:292A
- 结温, Tj 最高:150°C
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
- 阈值电压, Vgs th 最低:3V
- 阈值电压, Vgs th 最高:5V
